2-6型大体积高压高温合成装置 I
最高压力10 GPa；温度2000 K
2-6型大体积高压高温合成装置 II
最高压力10 GPa；温度2000 K
国产铰链式大腔体高压高温合成装置
最高压力6 GPa；温度3200 K
高精度光学浮区法单晶炉
温度 > 2200 K
PPMS综合物性测量系统
温度范围：1.8-400 K；磁场范围： 0-9 T
X光粉末衍射与单晶劳厄衍射集成系统
2θ范围5-100度；2θ步长0.005度
Labsys Evo STA同步热分析仪
温度范围：室温至1800 K
差示扫描量热仪
温度范围：100-1000 K
Seebeck系数和电阻分析系统
温度范围：室温至1073 K
介电/铁电综合测试仪表
多功能样品杆
可实现磁控电及电控磁测量
高温电阻测试系统
温度范围：300-1073 K
高真空磁控溅射薄膜沉积系统
冷等静压机
压力范围：0-300 MPa
马弗炉
温度范围：室温至1600 K
管式炉
温度范围：室温至1800 K